剥离方法及柔性装置的制造方法
授权
摘要
提供一种成本低且生产率高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层，通过光刻法在第一层中形成开口来形成具有开口的树脂层，以与树脂层的开口重叠的方式形成硅层或氧化物层，在树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管，在硅层或氧化物层上通过与晶体管的源极或漏极的相同的制造工序形成导电层，对树脂层、以及硅层和氧化物层中的一个照射激光，将晶体管及导电层与形成用衬底分离。
基本信息
专利标题 ：
剥离方法及柔性装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109075079A
申请号 ：
CN201780024764.6
公开（公告）日 ：
2018-12-21
申请日 ：
2017-04-11
授权号 ：
CN109075079B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
山崎舜平谷中顺平保本清治大野正胜安达广树
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
侯颖媖
优先权 ：
CN201780024764.6
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/02 H01L27/12 H01L29/786 H01L51/50 H05B33/10
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IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20170411
申请日 : 20170411
2018-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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