用于反向偏置开关晶体管的方法和装置
授权
摘要
一种集成射频(RF)电路结构可以包括在隔离层的第一表面上的有源器件。集成RF电路结构还可以包括在隔离层的与第一表面相对的第二表面上的反向偏置金属化。有源器件的本体被反向偏置金属化偏置。集成RF电路结构还可以包括在有源器件上的正面介电层上的处理基底。
基本信息
专利标题 ：
用于反向偏置开关晶体管的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109314097A
申请号 ：
CN201780038557.6
公开（公告）日 ：
2019-02-05
申请日 ：
2017-05-24
授权号 ：
CN109314097B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
S·格科特佩里
申请人 ：
高通股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201780038557.6
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-03-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20170524
申请日 : 20170524
2019-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
