磁耦合层、包括磁耦合层的结构及其制造和/或使用它们的方法
授权
摘要
提供一种磁性结构。该磁性结构可以具有带有第一磁化方向的第一磁性层、带有第二磁化10方向的第二磁性层和插置在第一和第二磁性层之间的耦合层。耦合层可包括至少一种非磁性元素和至少一种磁性元素。该至少一种非磁性元素与该至少一种磁性元素的原子比为(100‑x):x，其中x是原子浓度参数。原子浓度参数x可以使得第一磁性层非共线地耦合1到第二磁性层，从而在没有外部磁场的情况下，第一磁化方向定向为相对于第二磁化方向成非共线角度。
基本信息
专利标题 ：
磁耦合层、包括磁耦合层的结构及其制造和/或使用它们的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110603618A
申请号 ：
CN201780090353.7
公开（公告）日 ：
2019-12-20
申请日 ：
2017-11-24
授权号 ：
CN110603618B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
Z·R·纳恩E·格特
申请人 ：
西蒙·弗雷泽大学
申请人地址 ：
加拿大不列颠哥伦比亚
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
朱海涛
优先权 ：
CN201780090353.7
主分类号 ：
H01F41/32
IPC分类号 ：
H01F41/32 G01K7/36 G01R33/09 G11C11/15 H01F1/01 H03B15/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F41/00
专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法；专用于制造磁性材料的设备或方法
H01F41/32
用于在磁性膜上施加导体材料、绝缘材料或磁性材料
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-04-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01F 41/32
申请日 : 20171124
申请日 : 20171124
2019-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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