保护MEMS单元免受红外线检查的方法和MEMS单元
授权
摘要
提出一种用于保护MEMS单元、尤其是MEMS传感器免遭红外线检查的方法，其中对于所述MEMS单元的表面的至少一个第一区域进行表面结构化，其中所述第一区域将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述区域上的红外线光吸收、反射或漫散射。
基本信息
专利标题 ：
保护MEMS单元免受红外线检查的方法和MEMS单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108731718A
申请号 ：
CN201810325794.7
公开（公告）日 ：
2018-11-02
申请日 ：
2018-04-12
授权号 ：
CN108731718B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
M.库尔齐克O.维勒斯S.齐诺贝尔U.孔茨
申请人 ：
罗伯特·博世有限公司
申请人地址 ：
德国斯图加特
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
臧永杰
优先权 ：
CN201810325794.7
主分类号 ：
G01D11/24
IPC分类号 ：
G01D11/24 B81B7/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01D
非专用于特定变量的测量；不包含在其他单独小类中的测量两个或多个变量的装置；计费设备；非专用于特定变量的传输或转换装置；未列入其他类目的测量或测试
G01D11/00
非专用于特定变量的测量装置的组件
G01D11/24
外壳
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-05-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01D 11/24
申请日 : 20180412
申请日 : 20180412
2018-11-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
