一种负微分电阻及制备方法
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摘要
本发明公开了一种负微分电阻及制备方法，该负微分电阻含有掺钾黑磷‑八磷化二钾异质结，其结构包括硅衬底(1)，在硅衬底(1)上生长第一二氧化硅保护层(2)；在第一二氧化硅保护层(2)上沉积得到掺钾黑磷薄层(3)和八磷化二钾薄层(4)构成的异质结；在异质结上沉积第二二氧化硅保护层(5)；在第二二氧化硅保护层(5)上蚀刻出漏极(VD)接触孔和源极(VS)接触孔，之后接触孔中蒸镀金属层，得到漏极(VD)和源极(VS)，硅衬底(1)为栅极(VG)；本发明负微分电阻具有更加稳定的性质，不仅表现出较高的峰谷电流比，而且其结构稳定，不易退化失效，且其制备工艺简单。
基本信息
专利标题 ：
一种负微分电阻及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108987570A
申请号 ：
CN201810606845.3
公开（公告）日 ：
2018-12-11
申请日 ：
2018-06-13
授权号 ：
CN108987570B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
雷双瑛郭斯佳沈海云
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区东南大学路2号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
柏尚春
优先权 ：
CN201810606845.3
主分类号 ：
H01L47/00
IPC分类号 ：
H01L47/00
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-01-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 47/00
申请日 : 20180613
申请日 : 20180613
2018-12-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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