一种复合阵列电极及其制备方法和应用
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摘要

本发明提供了一种复合阵列电极,包括微电极阵列基体,以及形成在所述微电极阵列基体的微电极表面的修饰层,所述修饰层包括多个间隔设置在所述微电极表面的导电层,所述微电极表面上,所述导电层以外的区域设置绝缘层,所述导电层的材质包括纳米铂、纳米铱、导电聚合物和碳纳米管等中的一种或多种。该复合阵列电极有效消除的边缘效应的影响,整个所述复合阵列电极的微电极表面电场分布均匀,显著提高了电极的电化学性能和电极的检测能力水平。本发明还提供了复合阵列电极的制备方法和应用。

基本信息
专利标题 :
一种复合阵列电极及其制备方法和应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109700453A
申请号 :
CN201811536249.9
公开(公告)日 :
2019-05-03
申请日 :
2018-12-15
授权号 :
CN109700453B
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
曾齐吴天准
申请人 :
深圳先进技术研究院
申请人地址 :
广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
代理机构 :
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 :
郝传鑫
优先权 :
CN201811536249.9
主分类号 :
A61B5/04
IPC分类号 :
A61B5/04  A61N1/05  C25D3/50  C25D5/02  C25D7/00  C25D15/00  G01N27/30  
法律状态
2022-06-14 :
授权
2020-05-22 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : A61B 5/04
登记生效日 : 20200508
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 深圳先进技术研究院
变更后权利人 : 深圳市中科先见医疗科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
变更后权利人 : 518000 广东省深圳市龙岗区龙城街道龙飞大道333号启迪协信科技园4栋4楼
2019-05-28 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : A61B 5/04
申请日 : 20181215
2019-05-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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