采用具有不同磁场灵敏度的隧道磁阻(TMR)器件以提高检测...
授权
摘要
公开了一种采用具有不同磁场灵敏度的TMR器件以提高检测灵敏度的隧道磁阻(TMR)传感器。例如，TMR传感器可用作生物传感器来检测生物材料的存在。在本文公开的方面中，制造TMR传感器中的至少两个TMR器件的自由层以相对于彼此显示出不同的磁特性(诸如MR比率、磁各向异性，矫顽力)，使得每个TMR器件将针对给定的杂散磁场显示出不同的电阻变化，以提高磁场检测灵敏度。例如，TMR器件可被制造为具有不同的磁特性，使得一个TMR器件在存在较小杂散磁场的情况下显示出更大的电阻变化，而另一TMR器件在存在较大杂散磁场的情况下显示出较大的电阻变化。
基本信息
专利标题 ：
采用具有不同磁场灵敏度的隧道磁阻(TMR)器件以提高检测灵敏度的TMR传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110462416A
申请号 ：
CN201880022582.X
公开（公告）日 ：
2019-11-15
申请日 ：
2018-03-29
授权号 ：
CN110462416B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
W-C·陈许华南李夏康相赫N·K·M·史蒂文斯-余
申请人 ：
高通股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
张昊
优先权 ：
CN201880022582.X
主分类号 ：
G01R33/09
IPC分类号 ：
G01R33/09 G01R33/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-12-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/09
申请日 : 20180329
申请日 : 20180329
2019-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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