用于显示器应用的CVD薄膜应力控制方法
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摘要
本公开内容的实施方式大体上描述一种用于利用高密度等离子体化学气相沉积工艺沉积氮化硅(SiN)的阻挡层，特别是通过在沉积工艺期间施加偏压于基板来控制沉积的氮化硅层的膜应力的方法。在一个实施方式中，一种形成膜层的方法包括：加热基板至低于约100℃的基板温度，所述基板设置于处理腔室中的基板支撑件上；使硅前驱物气体和氮前驱物气体流入处理腔室中；施加偏压于电极，所述电极耦接至基板支撑件；形成氮前驱物气体和硅前驱物气体的高密度等离子体；和沉积氮化硅层于基板上。
基本信息
专利标题 ：
用于显示器应用的CVD薄膜应力控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110651375A
申请号 ：
CN201880032660.4
公开（公告）日 ：
2020-01-03
申请日 ：
2018-04-16
授权号 ：
CN110651375B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
元泰景崔寿永桑杰伊·D·雅达夫卡尔·A·索伦森高建德苏希尔·安瓦尔李永东
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN201880032660.4
主分类号 ：
H01L51/56
IPC分类号 ：
H01L51/56 H01L21/02 H01L21/324 H01L51/00
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-02-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/56
申请日 : 20180416
申请日 : 20180416
2020-01-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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