一种用于控制溅射薄膜应力分布的装置
授权
摘要
本实用新型提供一种用于控制溅射薄膜应力分布的装置，包括设置在晶圆下的压盘，压盘内设有电极，电极通过电源供电；电极包括从内到外嵌套的n个分电极，相邻的分电极之间通过绝缘隔离层进行隔离，n≥2；每个分电极对应一组供电单元，供电单元由电源和功率调节电路构成，电源的一端接地，电源的另一端通过功率调节电路与对应的分电极连接。本实用新型通过改变电极的结构，使沉积过程中薄膜的应力可以分区域控制，通过控制不同位置电源的功率大小，使得薄膜中的应力分布更为均匀，从而提高产品成品率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于控制溅射薄膜应力分布的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920651959.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-08
授权号 ：
CN210458358U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
黄春奎丁鹏廖珮淳
申请人 ：
武汉衍熙微器件有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市江夏区经济开发区藏龙岛梁山头村惠风同庆花园一期G17-S栋1-2层6室
代理机构 ：
湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人 ：
王丹
优先权 ：
CN201920651959.X
主分类号 ：
C23C14/54
IPC分类号 ：
C23C14/54 C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/54
镀覆工艺的控制或调节
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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