温度可控型双对靶新型薄膜溅射仪
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本实用新型涉及溅射技术领域。在长方体形真空溅射室内装两对相同尺寸的靶材，两对靶间加一隔离膜，其效能优于两台单对靶溅射仪。在施加在靶上的电磁场作用下，对靶各自形成高密度等离子体区。双重转动基板架既能使成膜均匀性好，又能实现多层超薄人工格的制备。可用于外延单晶，人工格以及大面积连续介质后保护膜制备。为科研、生产提供快速、方便的溅射成膜设备。
基本信息
专利标题 ：
温度可控型双对靶新型薄膜溅射仪
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN90224243.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1990-11-22
授权号 ：
CN2099136U
授权日 ：
1992-03-18
发明人 ：
姜恩永刘裕光孙长庆张西祥程启王忠杰
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区卫津路七里台
代理机构 ：
天津大学专利代理事务所
代理人 ：
王国欣
优先权 ：
CN90224243.1
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
1995-01-11 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-12-09 ：
授权
1992-03-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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