一种磁控溅射用工艺供气分布系统
公开
摘要
本发明属于磁控溅射镀膜技术领域，具体公开了一种磁控溅射用工艺供气分布系统，包括气管固定槽、辅助供气方管以及主供气方管；气管固定槽的一侧固接有气管承载板，辅助供气方管以及主供气方管并排固定在气管承载板和气管固定槽的内顶壁之间；主供气方管的内部设有主供气圆管，主供气圆管的顶部开设有第一出气孔，主供气方管的底部开设有第二出气孔；辅助供气方管的内部通过隔板上下分为两腔室，隔板上竖直贯穿有隔片，隔片的上下端均与辅助供气方管的内壁固接，隔板上开设有第三出气孔，辅助供气方管的底部开设有第四出气孔；气管固定槽的顶部安装有辅助供气机构，气管固定槽的顶部固接有气管固定槽板，气管固定槽板的顶部与辅助供气机构连接。
基本信息
专利标题 ：
一种磁控溅射用工艺供气分布系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411106A
申请号 ：
CN202111644668.6
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张俊峰赵子东王栋权魏庆瑄
申请人 ：
上海子创镀膜技术有限公司
申请人地址 ：
上海市金山区金山工业区金飞路808号
代理机构 ：
上海尊肃专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李珍珍
优先权 ：
CN202111644668.6
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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