减少磁控溅射工艺中基板电弧放电的方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种减少磁控溅射工艺中基板电弧放电的方法,包括:将基板置于磁控溅射机台的承载单元上;执行磁控溅射工艺,基板暴露于承载单元之外的区域覆盖有导电材料层;获取基板相对于遮挡单元或承载单元的实际位置信息;获取基板的实际位置信息相对基板在承载单元上的标准位置信息的偏差数据,若偏差数据超出预设偏差,则相应调整磁控溅射机台,以使基板的放置位置在标准位置的预设偏差内。本发明中,通过测量基板背面的导电材料层的分布以获得基板位置,并进一步获得基板位置相对标准位置的偏差,若上述偏差超出预设范围,则相应调整后续的放置基板的位置,使偏差在预设范围内,从而实现预防及减少磁控溅射工艺中基板电弧放电。

基本信息
专利标题 :
减少磁控溅射工艺中基板电弧放电的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318272A
申请号 :
CN202210186483.3
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2022-02-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈献龙张志敏
申请人 :
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 :
广东省广州市黄埔区中新广州知识城凤凰五路28号
代理机构 :
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 :
刘畅
优先权 :
CN202210186483.3
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35  C23C14/54  C23C14/50  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20220228
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332