一种测试薄膜残余应力及其沿层深分布的方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种测试薄膜残余应力及其沿层深分布的方法。采用光杠杆系统测量试片曲率半径，由激光器产生的入射光束，依次经由“半透镜”与试片表面的透射和反射，到达硅光电池接收器。反射光束随拱形试片水平运动而偏转，试片的移动距离l与硅光电池随光束偏转而移动的距离D存在线性关系，由此关系的斜率可计算试片曲率半径。利用化学或电化学等方法将试片上的薄膜逐层剥除，求出每次剥除前后试片曲率半径的当量变化量Ri*，并将该变化量，基片弹性常数Es、vs和基片厚度hs，及每次剥除薄膜的厚度hl代入式，即可求得每层薄膜的残余应力，从而得到薄膜的残余应力及其沿层深方向的分布。本发明中提出的光杠杆系统测量试片曲率半径方法，设计新颖，测量精度高
基本信息
专利标题 ：
一种测试薄膜残余应力及其沿层深分布的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1793842A
申请号 ：
CN200510047805.2
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙超赵升升华伟刚宫骏杜昊王启民李家宝
申请人 ：
中国科学院金属研究所
申请人地址 ：
110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
代理机构 ：
沈阳科苑专利商标代理有限公司
代理人 ：
张志伟
优先权 ：
CN200510047805.2
主分类号 ：
G01N21/17
IPC分类号 ：
G01N21/17 G06F17/11
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
法律状态
2014-01-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101563322061
IPC(主分类) : G01N 21/17
专利号 : ZL2005100478052
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20090304
终止日期 : 20121125
号牌文件序号 : 101563322061
IPC(主分类) : G01N 21/17
专利号 : ZL2005100478052
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20090304
终止日期 : 20121125
2009-03-04 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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