存储器装置

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摘要

本发明公开了一种存储器装置，该存储器装置包括一参考导体，及被多个绝缘条分开的一叠层的导电条，此叠层中的这些导电条朝一第一方向延伸，且此叠层被配置在参考导体上。存储器装置包括多个半圆柱形垂直通道结构，延伸通过此叠层中的这些导电条中的各个开孔，并且包括多个半导体薄膜来与具有多个外表面的参考导体电性连接。每一个半圆柱形垂直通道结构具有一分割的椭圆形截面，该分割的椭圆形截面具有一相对于第一方向呈倾斜的主轴线。存储器装置包括多个数据储存结构，处于这些半导体薄膜的这些外表面与这些导电条中的这些开孔中的多个侧壁之间。

基本信息

专利标题：

存储器装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111146206A

申请号：

CN201910005953.X

公开（公告）日：

2020-05-12

申请日：

2019-01-03

授权号：

CN111146206B

授权日：

2022-05-27

发明人：

叶腾豪吕函庭

申请人：

旺宏电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

任岩

优先权：

CN201910005953.X

主分类号：

H01L27/1157

IPC分类号：

H01L27/1157 H01L27/11582