一种半导体陶瓷覆合铜板打孔下模
授权
摘要
本发明属于材料加工技术领域，具体公开了基于粉末冶金来制备冲孔下模的材料配方及其制备工艺，冲孔下模的材料配方为66‑86份钨粉，5‑12份钴粉，8‑22份重稀土，3‑14份助剂，通过该材料配方再结合粉末冶金工艺可以得到耐磨性能和自润滑性能合格的冲孔下模产品，有效降低了企业的加工成本。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体陶瓷覆合铜板打孔下模
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111500912A
申请号 ：
CN201910089340.9
公开（公告）日 ：
2020-08-07
申请日 ：
2019-01-30
授权号 ：
CN111500912B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
杨大兴杨知宁吴孟婷
申请人 ：
重庆鸿皓源科技有限公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西双大道21号2幢8-18
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201910089340.9
主分类号 ：
C22C27/04
IPC分类号 ：
C22C27/04 B22F3/02 B22F3/10 B22F3/26 B22F5/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C22
冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理
C22C
合金
C22C27/00
铼或未包括在C22C14/00或C22C16/00组中的难熔金属基合金
C22C27/04
钨或钼基合金
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2022-02-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C22C 27/04
申请日 : 20190130
申请日 : 20190130
2020-08-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
