带载体的极薄铜箔及其制造方法
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摘要

本发明提供在覆铜层叠板的加工~印刷电路板的制造中能够兼顾微细电路形成性和激光加工性的带载体的极薄铜箔及其制造方法。本发明的带载体的极薄铜箔依次具备载体箔、剥离层和极薄铜箔。极薄铜箔的剥离层一侧的表面的表面峰间的平均距离(Peak spacing)为20μm以下,且极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为1.0μm以下。

基本信息
专利标题 :
带载体的极薄铜箔及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110072334A
申请号 :
CN201910236053.6
公开(公告)日 :
2019-07-30
申请日 :
2016-01-20
授权号 :
CN110072334B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
花田徹高梨哲聪松永哲广立冈步
申请人 :
三井金属矿业株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘新宇
优先权 :
CN201910236053.6
主分类号 :
H05K1/09
IPC分类号 :
H05K1/09  H05K3/02  C25D5/48  C25D1/04  C25D3/12  C25D3/38  
法律状态
2022-04-01 :
授权
2019-08-23 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05K 1/09
申请日 : 20160120
2019-07-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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