一种采用表面磁导技术的缺陷检测装置及检测方法
授权
摘要

本发明适用于无损检测技术领域,提供一种采用表面磁导技术的缺陷检测装置及检测方法,所述缺陷检测装置包括磁桥,所述磁桥两端下方各设置一块磁铁,这两块磁铁极性方向相反放置,其中一块磁铁的下方固定有磁敏元件。本发明可以区分上表面焊瘤和腐蚀坑,有利于排除焊瘤对检测信号的干扰;另外结合漏磁检测技术,可以进一步区分缺陷在上表面或下表面,可以确定缺陷的位置,更准确的评估储罐的剩余寿命;另外,在缺陷定量方面,可以确定缺陷的深度;此外,对于缺陷形貌的检测更准确,同时麻坑太多时的检测问题也得到了解决,通过表面磁导技术所得数据,可以检测出上表面的蜂窝麻面。

基本信息
专利标题 :
一种采用表面磁导技术的缺陷检测装置及检测方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110187001A
申请号 :
CN201910427705.4
公开(公告)日 :
2019-08-30
申请日 :
2019-05-22
授权号 :
CN110187001B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
卢永雄阮鸥陆智明王康黄威王子豪赵琴关江浩凌威
申请人 :
西红柿科技(武汉)有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖开发区花城大道9号软件新城A3栋1楼
代理机构 :
深圳市知顶顶知识产权代理有限公司
代理人 :
马世中
优先权 :
CN201910427705.4
主分类号 :
G01N27/82
IPC分类号 :
G01N27/82  G01N27/83  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/626
应用加热电离气体
G01N27/72
通过测试磁变量
G01N27/82
用于测试缺陷的存在
法律状态
2022-05-24 :
授权
2019-09-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 27/82
申请日 : 20190522
2019-08-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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