磁控等离子体鞘层特性研究方法
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摘要
本发明公开了磁控等离子体鞘层特性研究方法，属于磁约束等离子体鞘层领域，包括以下步骤：S1：产生等离子体，温度高达3000～4000k；S2：电磁线圈电流的加载；S3：产生感应电场，外加磁场产生激励电场，电场对粒子的加速效应可使高温燃气中初始的电子形成雪崩电离效应；S4:形成磁约束等离子体鞘层；S5：磁约束等离子体鞘层的隔热效应；S6：磁约束等离子体鞘层抑制动力学热流密度。该磁控等离子体鞘层特性研究方法，施加平行磁场后带电粒子的运动将变成绕磁力线的回旋运动，降低了等离子体横越磁场传递的热流密度，由于燃气传递的热流密度下降，内壁面的温升也随之下降，从而提高身管抗热烧蚀的能力，提高使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
磁控等离子体鞘层特性研究方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110198590A
申请号 ：
CN201910559102.X
公开（公告）日 ：
2019-09-03
申请日 ：
2019-06-26
授权号 ：
CN110198590B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
毛保全白向华李程杨雨迎宋瑞亮王之千朱锐张天意
申请人 ：
中国人民解放军陆军装甲兵学院
申请人地址 ：
北京市丰台区杜家坎21号院
代理机构 ：
北京八月瓜知识产权代理有限公司
代理人 ：
马东瑞
优先权 ：
CN201910559102.X
主分类号 ：
H05H1/10
IPC分类号 ：
H05H1/10 H05H1/00
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2019-09-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05H 1/10
申请日 : 20190626
申请日 : 20190626
2019-09-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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