用于减少的氧化物侵蚀的钨化学机械抛光
授权
摘要
本发明涉及可用于含钨半导体器件的化学机械平面化(CMP)的浆料、方法和系统。使用具有添加剂以抵消钨抛光副产物导致的pH降低并保持pH4或更高的CMP浆料，可以大大减少密集金属(例如钨)结构的侵蚀。
基本信息
专利标题 ：
用于减少的氧化物侵蚀的钨化学机械抛光
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110734703A
申请号 ：
CN201910661414.1
公开（公告）日 ：
2020-01-31
申请日 ：
2019-07-22
授权号 ：
CN110734703B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
路春史晓波D·C·塔姆博利R·M·玛查多M·L·奥内尔M·斯腾德
申请人 ：
弗萨姆材料美国有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
吴亦华
优先权 ：
CN201910661414.1
主分类号 ：
C09G1/02
IPC分类号 ：
C09G1/02 H01L21/306
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09G
抛光组合物；滑雪屐蜡
C09G1/00
抛光组合物
C09G1/02
含有磨料或研磨剂
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C09G 1/02
申请日 : 20190722
申请日 : 20190722
2020-01-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
