用来减少对半导体晶片侵蚀的抛光组合物
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种用来抛光半导体基板的水性抛光组合物，它包含：0.001－2重量％聚乙烯醇共聚物和0.05－50重量％二氧化硅磨粒；所述聚乙烯醇共聚物具有第一组分、第二组分，其重均分子量为1，000－1,000,000克/摩尔，且第一组分为50－95摩尔％乙烯醇，第二组分的疏水性高于乙烯醇；所述组合物的pH为8－12。
基本信息
专利标题 ：
用来减少对半导体晶片侵蚀的抛光组合物
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1800284A
申请号 ：
CN200510136133.2
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卞锦儒R·L·小拉瓦J·匡奇叶倩萩
申请人 ：
罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请人地址 ：
美国特拉华州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈文青
优先权 ：
CN200510136133.2
主分类号 ：
C09G1/16
IPC分类号 ：
C09G1/16 C09G1/02 H01L21/304
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09G
抛光组合物；滑雪屐蜡
C09G1/00
抛光组合物
C09G1/06
其他抛光组合物
C09G1/14
基于非蜡物质的
C09G1/16
基于天然或合成树脂的
法律状态
2009-01-28 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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