一种低功函导电复合电极、其制备和应用
授权
摘要
本发明属于光电材料技术领域，更具体地，涉及一种低功函导电复合电极、其制备和应用。将含有氨基的聚合物与金属离子和金属纳米线先后发生配位共混，获得本发明低功函导电透明复合电极。本发明基于常见的可降低电极功函数的聚合物材料，引入金属离子以及金属纳米线，聚合物分子中的氨基同时与金属离子和金属纳米线发生配位作用，得到所述的低功函导电透明复合电极。所得到的复合电极，粗糙度低，功函数低于4.35eV，方块电阻在30欧姆时电极的透光率高于85％，在不增加阴极界面修饰材料时，也能够很好的作为阴极适用于不同光电器件中。
基本信息
专利标题 ：
一种低功函导电复合电极、其制备和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112331739A
申请号 ：
CN201910718853.1
公开（公告）日 ：
2021-02-05
申请日 ：
2019-08-05
授权号 ：
CN112331739B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
周印华孙露露覃飞王文
申请人 ：
华中科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 ：
华中科技大学专利中心
代理人 ：
彭翠
优先权 ：
CN201910718853.1
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0224 H01L33/42
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-02-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20190805
申请日 : 20190805
2021-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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