一种存储器装置以及用于感测存储器单元的逻辑状态的方法

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摘要

本发明实施例涉及一种存储器装置以及用于感测存储器单元的逻辑状态的方法。用于感测存储器装置中的多个段中的存储器单元的逻辑状态的方法，每一单元具有高电阻状态和低电阻状态，从而产生针对不同电阻状态的不同单元电流电平。所述方法包含确定相应段的目标参考电流电平，所述目标参考电流电平中的至少两个彼此不同；用每一段的所述目标参考电流电平产生所述段的参考电流；将每一单元的所述单元电流电平与所述单元所处的所述段的所述参考电流电平进行比较；和基于所述比较，确定所述存储器单元的所述逻辑状态。

基本信息

专利标题：

一种存储器装置以及用于感测存储器单元的逻辑状态的方法

专利标题（英）：

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公开（公告）号：

CN110858497A

申请号：

CN201910785995.X

公开（公告）日：

2020-03-03

申请日：

2019-08-23

授权号：

CN110858497B

授权日：

2022-06-14

发明人：

池育德李嘉富史毅骏林弘璋林谷峰

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

龚诗靖

优先权：

CN201910785995.X

主分类号：

G11C11/16

IPC分类号：

G11C11/16