一种利用X射线光电子能谱仪快速刻蚀分析材料界面元素化学状...
授权
摘要
一种利用X射线光电子能谱仪快速刻蚀分析材料界面元素化学状态的方法，它涉及一种分析材料界面元素化学状态的方法。本发明目的是要解决采用半导体材料化合物或过渡族金属元素化合物时，在仅采用单粒子模式刻蚀膜层分析过程中，不能真实反映实际膜层化学元素化学状态，而采用团簇模式刻蚀膜层，无法实现快速分析的问题。方法：一、采用单粒子模式下去除表面层；二、采用团簇模式下进行界面层分析。本发明主要用于分析材料界面元素化学状态。
基本信息
专利标题 ：
一种利用X射线光电子能谱仪快速刻蚀分析材料界面元素化学状态的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110487833A
申请号 ：
CN201910802555.0
公开（公告）日 ：
2019-11-22
申请日 ：
2019-08-28
授权号 ：
CN110487833B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
杨磊崔喜平张杰来忠红曾岗洪光辉李雪朱嘉琦
申请人 ：
哈尔滨工业大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
代理机构 ：
哈尔滨市松花江专利商标事务所
代理人 ：
岳泉清
优先权 ：
CN201910802555.0
主分类号 ：
G01N23/2273
IPC分类号 ：
G01N23/2273 G01N23/2202
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/22
通过测量材料的二次发射
G01N23/227
测量光电效应，例如，光电子发射显微镜
G01N23/2273
测量光电子光谱，例如用于化学分析的电子光谱或X射线光电子能谱
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-12-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 23/2273
申请日 : 20190828
申请日 : 20190828
2019-11-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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