一种CMOS图像传感器曝光时间的控制方法
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摘要

本发明提出一种CMOS图像传感器曝光时间的控制方法。该CMOS图像传感器包含像素矩阵,其曝光方法包含:将像素矩阵的曝光次数N分割成若干段,以分段的曝光且每完成一段曝光后就读取一次电荷信息;若像素累积的电荷量超过设定的阈值,则对该像素点进行标识,当所有像素全部完成信息读取后,开始下一段的曝光,直至所述若干段曝光全部完成后,像素点的标识信息清零,像素点上存储的电荷信息通过读取、放大以及模数转换后变成数字信号输出;进入下一工作周期。该方法通过对每个像素进行标识的方法,在保证像素阵列里每个像素点都不过曝的前提下,有效提高所有像素点的有用信号幅度,进而提高图像传感器的动态范围和信噪比。

基本信息
专利标题 :
一种CMOS图像传感器曝光时间的控制方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112449118A
申请号 :
CN201910810269.9
公开(公告)日 :
2021-03-05
申请日 :
2019-08-29
授权号 :
CN112449118B
授权日 :
2022-05-31
发明人 :
潘扬李丹
申请人 :
炬佑智能科技(苏州)有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市吴中区越溪街道南溪江路88号石湖金陵广场写字楼8层
代理机构 :
苏州智品专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
唐学青
优先权 :
CN201910810269.9
主分类号 :
H04N5/235
IPC分类号 :
H04N5/235  H04N5/355  H04N5/374  
法律状态
2022-05-31 :
授权
2021-03-30 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04N 5/235
申请日 : 20190829
2021-03-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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