一种IGBT模块寿命监测方法
授权
摘要
本发明公开了一种IGBT模块寿命监测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：对IGBT模块的样本进行离线标定，得到标定样本；对所述标定样本进行数据分析，得到参考数据并确定预设偏差值；在所述IGBT模块运行前，对所述IGBT模块进行检测，并得到检测数据；比较所述检测数据与所述参考数据，并判断所述检测数据和所述参考数据的偏差值是否大于所述预设偏差值，若是，则判断所述IGBT模块的寿命即将终止。采用本发明的IGBT模块寿命监测方法，能够运用简单高效的检测方法，实现对其寿命的监测及寿命终止警示；监测方法通过标定和统计，充分考虑了模块差异性；且该检测方法在低压下检测，并考虑了不同结温的影响，极大提高了寿命监测的安全性和准确性。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT模块寿命监测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110726921A
申请号 ：
CN201911112111.0
公开（公告）日 ：
2020-01-24
申请日 ：
2019-11-14
授权号 ：
CN110726921B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
李帆远沈捷
申请人 ：
臻驱科技(上海)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区亮秀路112号Y1座909室
代理机构 ：
北京金信知识产权代理有限公司
代理人 ：
戎骏京
优先权 ：
CN201911112111.0
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20191114
申请日 : 20191114
2020-01-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
