一种半导体模块焊层寿命失效的测试方法
实质审查的生效
摘要

本申请涉及一种半导体模块焊层寿命失效的测试方法,包括:根据待测半导体模块的规格确定参考温度数据;所述参考温度数据是同规格的半导体模块所对应的温度标定数据;获取待测半导体模块的初始温度数据;所述初始温度数据是待测半导体模块在全新状态下进行温度测试的数据;对待测半导体模块进行温度测试,获取当前温度数据;根据初始温度数据、当前温度数据和参考温度数据,判断待测半导体模块的焊层寿命是否失效。本申请的测试方法在完整功率模块上进行,不需要将待测半导体模块从功率模块中拆下,省时省力;也不会发生由于拆解及安装导致的模块及其它部件损坏;本方案不需要热阻、超声波扫描等相关设备投入,降低测试成本。

基本信息
专利标题 :
一种半导体模块焊层寿命失效的测试方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114371381A
申请号 :
CN202210011756.0
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2022-01-06
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金明星
申请人 :
北一半导体科技(广东)有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市坪山区坪山街道和平社区兰金四路19号华瀚科技工业园厂房2栋345
代理机构 :
北京细软智谷知识产权代理有限责任公司
代理人 :
涂凤琴
优先权 :
CN202210011756.0
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20220106
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332