一种宽气压条件下使用的等离子体合成射流激励器
授权
摘要
提供一种宽气压条件下使用的等离子体合成射流激励器(103)，由激励器底部(101)和激励器头部(102)两部分通过螺纹装配而成；激励器底部(101)和激励器头部(102)整体都呈圆柱体盒盖状；激励器底部(101)包括：放电阳极(201)、放电阴极(202)、绝缘体(203)、激励器壳体(204)；在激励器头部(102)地面中心打通孔，用作合成射流的射流孔。本发明激励器利用半导体沿面放电具有的击穿电压对气体压力不敏感的特性，能够在较宽的范围内可靠稳定使用，能够解决目前等离子体合成射流激励器使用过程中遇到的环境适应性差、工作气压窄的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种宽气压条件下使用的等离子体合成射流激励器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110913552A
申请号 ：
CN201911237489.3
公开（公告）日 ：
2020-03-24
申请日 ：
2019-11-20
授权号 ：
CN110913552B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
张志波吴云贾敏金迪宋慧敏梁华崔巍朱益飞李应红李军
申请人 ：
中国人民解放军空军工程大学
申请人地址 ：
陕西省西安市长乐东路甲字1号空军工程大学
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201911237489.3
主分类号 ：
H05H1/24
IPC分类号 ：
H05H1/24
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-04-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05H 1/24
申请日 : 20191120
申请日 : 20191120
2020-03-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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