一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法
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摘要

本发明提供了一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法,属于传感器及其制备技术领域,所述二氧化氮传感器从下至上依次包括衬底、栅电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极,所述有机半导体层为金纳米棒与有机半导体材料的混合材料。采用金纳米棒这种棒状结构材料进行掺杂能影响有机半导体材料的分子链取向,导致更好的成膜结晶度和结晶取向,从而获得更好的器件性能,有利于传感信号的传输,同时,金纳米棒的掺杂,显著提高了聚合物薄膜的表面粗糙度,增大了与二氧化氮分子的接触面积,进而更容易感应外界的二氧化氮浓度变化,提升了有机薄膜晶体管的气体传感特性,实现器件对二氧化氮的高灵敏度高响应探测。

基本信息
专利标题 :
一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111157578A
申请号 :
CN201911403005.8
公开(公告)日 :
2020-05-15
申请日 :
2019-12-30
授权号 :
CN111157578B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
赵世雄侯思辉潘博闻于军胜
申请人 :
电子科技大学
申请人地址 :
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
代理机构 :
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 :
李颖
优先权 :
CN201911403005.8
主分类号 :
G01N27/00
IPC分类号 :
G01N27/00  B82Y15/00  B82Y40/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
法律状态
2022-04-15 :
授权
2020-06-09 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 27/00
申请日 : 20191230
2020-05-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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