薄膜晶体管、传感器、检测方法、检测装置及检测系统
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摘要
本公开提供了一种薄膜晶体管、传感器、检测方法、检测装置及检测系统，其中，该薄膜晶体管包括：第一绝缘层、栅极、有源层、源极组件和漏极组件，第一绝缘层包括相对设置的第一面和第二面；栅极设置在第一绝缘层的第一面上；有源层设置在第一绝缘层的第二面上，有源层用于与待检测体内的铜离子反应；源极组件和漏极组件均设置在第一绝缘层的第二面上且分别位于有源层相对的两侧；该传感器包括电源、信号生成模块及如上的薄膜晶体管，电源分别与信号生成模块和薄膜晶体管连接；薄膜晶体管，用于与待检测体内的铜离子反应并生成检测信号；信号生成模块，用于基于检测信号生成体外可识别的通讯消息。本发明实施例能够检测待检测体内的铜离子浓度。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管、传感器、检测方法、检测装置及检测系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109728098A
申请号 ：
CN201910005159.5
公开（公告）日 ：
2019-05-07
申请日 ：
2019-01-03
授权号 ：
CN109728098B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
李广耀汪军王庆贺王海涛宋威张扬王东方闫梁臣
申请人 ：
合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区工业园内
代理机构 ：
北京金信知识产权代理有限公司
代理人 ：
崔家源
优先权 ：
CN201910005159.5
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/41
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20190103
申请日 : 20190103
2019-05-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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