本发明提出一种多栅极石墨烯场效应晶体管传感器阵列和它的制备方法,所述的传感器阵列是在玻璃基板上溅射沉积图案化的源极和漏极，气相沉积单层石墨烯沟道，设置多个不同功能性材料修饰的栅电极；传感器由漏极、源极和多个栅极共同组成的。所述制备方法包括如下步骤：清洗和制作玻璃基底；制备图案化复合金电极；利用磁控溅射的射频磁控管在玻璃薄片上依次溅射沉积图案化的Cr/Au电极作为场效应晶体管的源极、漏极和栅极；通过化学气相沉积法CVD于预定厚度的铜箔上合成单层石墨烯层；将石墨烯切割成预定尺寸，利用湿化学法在去离子水中将石墨烯转移至图案化的源极和漏极之间的沟道上，清洗退火；封装制作好的传感器阵列器件。