一种芯片端口的抗雷击检测方法
授权
摘要
本发明公开了一种芯片端口的抗雷击检测方法，包括：分别获取待测芯片端口相对于电源端、接地端及剩余芯片端口的电流电压曲线；对待测芯片端口进行雷电间接效应试验；在雷电间接效应试验后，再次获取待测芯片端口相对于电源端、接地端及剩余芯片端口的电流电压曲线；对待测芯片的性能和功能进行测试，获得雷电间接效应试验后待测芯片的性能参数和功能参数；对雷电间接效应试验前后的电流电压曲线进行对比，获得曲线对比结果；根据性能参数、功能参数和曲线对比结果判断待测芯片端口是否合格。本发明的芯片端口的抗雷击检测方法能够在芯片经受雷电间接效应试验后且芯片功能和性能测试合格的情况下，检测芯片端口的隐性损伤。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片端口的抗雷击检测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111103527A
申请号 ：
CN201911414685.3
公开（公告）日 ：
2020-05-05
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN111103527B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
郎静刘若曦晁苗苗李潇朱晓东门萌萌
申请人 ：
西安翔腾微电子科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市西安市高新一路25号创新大厦S303室
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王海栋
优先权 ：
CN201911414685.3
主分类号 ：
G01R31/28
IPC分类号 ：
G01R31/28 G01R31/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试，例如用信号故障寻测器
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-05-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/28
申请日 : 20191231
申请日 : 20191231
2020-05-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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