一种双向对称TVS二极管
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型涉及一种双向对称TVS二极管，包括：P型衬底；N型外延层，形成于所述P型衬底上；P+掺杂区，形成于所述N型外延层表面；P+隔离区，穿过所述N型外延层，所述P+隔离区的底部与所述P型衬底连接；氧化层，形成于所述N型外延层之上，所述P+隔离区的表面通过所述氧化层与所述P+掺杂区连接；金属孔，形成于所述P+隔离区及所述P+掺杂区之上、所述氧化层之间；钝化层，形成于所述金属层之上；以及背面金属层，形成于所述P型衬底的背面。本实用新型结构设计合理，集成度高，尺寸小，大大节约芯片面积。
基本信息
专利标题 ：
一种双向对称TVS二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920420317.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-29
授权号 ：
CN209487517U
授权日 ：
2019-10-11
发明人 ：
周伟伟欧阳炜霞
申请人 ：
焕珏（上海）集成电路有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2305号B幢508室（产证登记楼层为4层）
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920420317.9
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06
相关图片
法律状态
2021-01-08 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/861
登记生效日 : 20201229
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 焕珏（上海）集成电路有限公司
变更后权利人 : 上海维攀微电子有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201210 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2305号B幢508室（产证登记楼层为4层）
变更后权利人 : 201612 上海市松江区漕河泾开发区松江高科技园莘砖公路258号33幢803室
登记生效日 : 20201229
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 焕珏（上海）集成电路有限公司
变更后权利人 : 上海维攀微电子有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201210 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2305号B幢508室（产证登记楼层为4层）
变更后权利人 : 201612 上海市松江区漕河泾开发区松江高科技园莘砖公路258号33幢803室
2019-10-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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