一种双向对称低电容TVS二极管
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型涉及一种双向对称低电容TVS二极管，当A端有正向浪涌时，电流通路沿着P+注入第一区与外延层构成的PIN二极管,N型埋层第一区与P型掺杂衬底形成TVS二极管和P型掺杂衬底、外延层、N+注入第一区构成PIN二极管这条通路释放；当A端为负向浪涌时，电流沿着P+注入第二区与外延层构成PIN二极管，N型埋层第二区与P型掺杂衬底形成TVS二极管以及P型掺杂衬底、外延层以及N+注入第二区构成PIN二极管这条通路释放。本实用新型双向对称性一致，能有效保护来自两个方向的瞬态电流破坏，等效电路结构还具有小电容特性，适用于高频信号电路，将两个双向的TVS集成在一个电路结构里，有利于减小芯片尺寸。
基本信息
专利标题 ：
一种双向对称低电容TVS二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920420308.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-29
授权号 ：
CN209389035U
授权日 ：
2019-09-13
发明人 ：
周伟伟欧阳炜霞
申请人 ：
焕珏（上海）集成电路有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2305号B幢508室（产证登记楼层为4层）
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920420308.X
主分类号 ：
H01L27/08
IPC分类号 ：
H01L27/08 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
法律状态
2021-01-08 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/08
登记生效日 : 20201225
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 焕珏（上海）集成电路有限公司
变更后权利人 : 上海维攀微电子有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201210 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2305号B幢508室（产证登记楼层为4层）
变更后权利人 : 201612 上海市松江区漕河泾开发区松江高科技园莘砖公路258号33幢803室
登记生效日 : 20201225
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 焕珏（上海）集成电路有限公司
变更后权利人 : 上海维攀微电子有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201210 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2305号B幢508室（产证登记楼层为4层）
变更后权利人 : 201612 上海市松江区漕河泾开发区松江高科技园莘砖公路258号33幢803室
2019-09-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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