非对称式轴向二极管
授权
摘要
非对称式轴向二极管。涉及半导体器件，尤其涉及非对称式轴向二极管。提供了一种结构简单，方便加工，提高产品质量的非对称式轴向二极管。包括从上到下依次设置的上引线、上焊料、芯片、下焊料和下引线，所述芯片呈上小下大的阶梯状，所述芯片的上部两端设有玻璃钝化层，所述上焊料位于两端的玻璃钝化层之间；所述上钉头本体和下钉头本体的横截面积相同，所述下钉头本体的横截面积大于芯片下部的横截面积。本实用新型由于下钉头面积大于芯片可焊接面积，芯片不再有悬空而形成保护。
基本信息
专利标题 ：
非对称式轴向二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920680862.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-13
授权号 ：
CN209571404U
授权日 ：
2019-11-01
发明人 ：
王永彬王毅
申请人 ：
扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
代理机构 ：
扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周全
优先权 ：
CN201920680862.1
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/488 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2019-11-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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