一种非对称取样的发光二极管
授权
摘要
本实用新型实施例提供了一种非对称取样的发光二极管，解决了现有技术中发光二极管由于电子和空穴的逸出造成载流子减少，从而降低二极管的发光效率的技术问题。本实用新型实施例提供的非对称取样的发光二极管，依次包括衬底基板、电子阻挡层、有源层、空穴阻挡层，空穴阻挡层包括至少两个第一空穴阻挡层，且在从靠近衬底基板至远离衬底基板的方向上，第一电子阻挡层的能级逐渐降低，也就是说当有源层中的电子想要跃迁至其他层时，逐渐克服的势垒越大，因此，电子也就越难跃迁至其他膜层中，因此，降低了电子的损耗，增加了电子与空穴的结合，增加了载流子的数量，提高了发光二极管的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种非对称取样的发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020622704.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-22
授权号 ：
CN211929521U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
张永刚郭丽彬
申请人 ：
天津市光纳电子科技有限公司
申请人地址 ：
天津市武清区京津电子商务产业园宏旺道2号14号楼119室08号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020622704.3
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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