一种单电极结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种单电极结构，包括基底，所述基底上设有固定面积的测试层，所述测试层上设有纯金层，所述基底上设有导电层，所述导电层连接所述测试层，该电极结构通过在基底上设计面积固定的测试层，提高了测试精度，无需进行剪裁和打磨就可直接用作工作电极，简便快捷，省时省力，基底采用USB接口部的形式，实现了与USB标准接口紧密对接的目的，简化了与电化学工作站之间数据连通的对接操作，方便使用和更换该电极结构。
基本信息
专利标题 ：
一种单电极结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920484182.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-09
授权号 ：
CN210401305U
授权日 ：
2020-04-24
发明人 ：
奚亚男崔皓博
申请人 ：
广州钰芯传感科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市南沙区丰泽东路106号(自编1号楼)X1301-B5841
代理机构 ：
佛山帮专知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
颜德昊
优先权 ：
CN201920484182.2
主分类号 ：
G01N27/30
IPC分类号 ：
G01N27/30
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/30
•••电极，例如测试电极；半电池
法律状态
2020-04-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210401305U.PDF
PDF下载
