一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器
授权
摘要
本专利公开了一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器，所述探测器由氧化铝衬底，锰钴镍氧敏感元，硅介质结构层，锗单晶半球透镜，以及器件管座组成。在传统热敏薄膜型探测器的基础上，通过在锰钴镍氧敏感元表面，引入特定图案的硅介质结构层，达到增强敏感元在红外波段的宽带吸收的目的，从而使探测器的响应率和探测率进一步提升。本专利设计的器件制备工艺简单，可实现红外波段的宽带增强探测，对于探测器的性能改善和提升具有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920708747.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-17
授权号 ：
CN209929328U
授权日 ：
2020-01-10
发明人 ：
黄志明胡涛张惜月张志博吴敬江林
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
上海市虹口区玉田路500号
代理机构 ：
上海沪慧律师事务所
代理人 ：
郭英
优先权 ：
CN201920708747.0
主分类号 ：
H01L31/09
IPC分类号 ：
H01L31/09 H01L31/0216 H01L31/18 G01J5/00 G01J5/20
法律状态
2020-01-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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