一种刻蚀增强型的非制冷红外薄膜探测器
授权
摘要
本专利公开了一种刻蚀增强型的非制冷红外薄膜探测器，所述探测器由氧化铝衬底，锰钴镍氧敏感元，锰钴镍氧介质超表面结构层，补偿元，以及器件管座组成。本专利制备的刻蚀增强型非制冷红外薄膜探测器，在传统锰钴镍氧薄膜型探测器的基础上，通过设计和刻蚀敏感元部分，形成特定周期、占空比和深度的锰钴镍氧介质超表面结构层，达到了增强耦合光的能力，促进了锰钴镍氧薄膜材料在红外波段的宽带吸收，进而增强了器件对红外辐射的宽波段探测能力，在响应率和探测率等方面可以有进一步的提高。本专利设计的器件制备工艺简单，与现有的硅集成工艺相兼容，可以在焦平面探测器中大规模应用。
基本信息
专利标题 ：
一种刻蚀增强型的非制冷红外薄膜探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920711972.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-17
授权号 ：
CN210071148U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
黄志明胡涛张惜月张志博吴敬江林
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
上海市虹口区玉田路500号
代理机构 ：
上海沪慧律师事务所
代理人 ：
郭英
优先权 ：
CN201920711972.X
主分类号 ：
G01J5/20
IPC分类号 ：
G01J5/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J5/00
辐射高温测定法
G01J5/10
用电辐射检测器
G01J5/20
用对辐射敏感的电阻器，热敏电阻器或半导体
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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