高品质二维材料的生长装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种高品质二维材料的生长装置，在生长管的左、右端部设有左封板与右封板，在生长管的在右封板上固定有导流后板与导流前板，在从上往下方向上，导流后板向前下方倾斜，导流前板向后下方倾斜；在生长管上开设有下插槽与上插槽，在下插槽下方的生长管内壁固定有气体阻隔板，在生长管上开设有生长管气孔，在下插槽内插装有下层插片，在气体阻隔板左侧的下层插片的上表面设有放置凹陷，在下层插片上开设有第一气孔与第二气孔，在上插槽内插装有生长板与排气板，在排气板上开设有排气板气孔，导流后板与导流前板设置在下插槽与上插槽之间。本实用新型使得生长出来的二维材料的重复性高、质量好且单层多层可控。
基本信息
专利标题 ：
高品质二维材料的生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920737550.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-21
授权号 ：
CN210261981U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
孙正乾于葛亮唐阳王永慧
申请人 ：
无锡盈芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市惠山区经济开发区堰新路311号才智广场1号楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201920737550.X
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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