一种高亮度的超薄侧入式背光源LED封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高亮度的超薄侧入式背光源LED封装结构，包括基座，所述基座右侧安装有导光板，所述基座右侧中部且位于导光板内安装有LED芯片，所述导光板底部安装有反射片，所述反射片底部安装有背板，所述导光板顶部安装有扩散片。本实用新型通过反射板的30°凹槽夹角即可将光线向上折射，再通过扩散片的20°凹槽夹角即可将光线向内侧集中照射，此类折射方式能够有效的将其光源进行聚集，从而损失照射范围提高亮度，且本封装结构结构简单，制造成本低，能够有效提升亮度。
基本信息
专利标题 ：
一种高亮度的超薄侧入式背光源LED封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920762961.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-25
授权号 ：
CN210107092U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
孙爱丽
申请人 ：
湖北如新电子有限公司
申请人地址 ：
湖北省襄阳市宜城市经济技术开发区
代理机构 ：
北京盛凡智荣知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡奂
优先权 ：
CN201920762961.4
主分类号 ：
F21K9/235
IPC分类号 ：
F21K9/235 F21K9/61 F21K9/68 F21K9/69 F21K9/238 F21Y115/10
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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