热处理装置
授权
摘要
本实用新型涉及热处理装置。提供能将基板保持件稳定地保持在保温台且能抑制热量从保温台的上方向保温台的下方散失的技术。热处理装置具备处理容器，其包括沿铅垂方向延伸的圆筒状的反应管；基板保持件，其在反应管的内部沿铅垂方向隔开间隔地保持多个基板；加热器，其从反应管的径向外侧对反应管的内部加热；盖体，其对处理容器的下端部的开口部进行开闭；及保温台，其配置在基板保持件与盖体之间，保温台具有沿铅垂方向延伸的碳化硅制的圆筒部；配置于圆筒部的径向内侧的第一隔热部；及配置于圆筒部的径向外侧的第二隔热部，第一隔热部包括沿铅垂方向隔开间隔排列的多个圆盘状翅片，第二隔热部包括沿铅垂方向隔开间隔排列的多个环形盘状翅片。
基本信息
专利标题 ：
热处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920804593.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-30
授权号 ：
CN210378972U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
小林聪树
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王海奇
优先权 ：
CN201920804593.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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