热处理装置
授权
摘要
本实用新型提供一种热处理装置。该热处理装置包括：处理容器，其包括在铅垂方向延伸的圆筒状的反应管；基片保持件，其在所述反应管的内部在铅垂方向隔开间隔地保持多个基片；加热器，其从所述反应管的径向外侧加热所述反应管的内部；配置在所述加热器的正下方的环状的第一隔热部；和环状的第二隔热部，其从下方插入所述第一隔热部的开口部并沿述第一隔热部的所述开口部的外缘部变形，所述第一隔热部的与所述第二隔热部的接触面以及所述第二隔热部的与所述第一隔热部的接触面分别是越向上方而越向径向内侧倾斜的锥面。由此，抑制来自加热器的热向下方流出。
基本信息
专利标题 ：
热处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920808396.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-31
授权号 ：
CN210325699U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
小林聪树
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN201920808396.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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