一种热处理装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种热处理装置，包括第一加热腔室、第二加热腔室、加热装置和固定装置，第一加热腔室包括上腔室和下腔室，加热装置包括上加热装置和下加热装置，上加热装置位于上腔室，下加热装置位于下腔室；第二加热腔室位于上腔室和下腔室之间；上腔室和下腔室的侧壁分别设有至少一组固定孔，上腔室和下腔室的固定孔位于第一加热腔室的不同侧壁，加热装置设置于固定孔中，加热装置的末端从固定孔中伸出，并延伸至固定装置的外部，上加热装置和下加热装置在第一加热腔室的底部所在的平面上的投影相互垂直；固定装置连接于第一加热腔室的外壁，用于将加热装置固定在固定孔内。
基本信息
专利标题 ：
一种热处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022000335.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-14
授权号 ：
CN212907666U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
马兰
申请人 ：
量伙半导体设备（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区老港镇老芦公路536号
代理机构 ：
北京思创大成知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘亭
优先权 ：
CN202022000335.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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