热处理装置
公开
摘要
本发明提供一种能够减小气体供给相关要素的设置空间的热处理装置。本发明的热处理装置中，对半导体晶圆进行加热处理的腔室(10)连接有助燃性气体管线(31)、可燃性气体管线(41)及惰性气体管线(51)。在对腔室(10)供给可燃性气体之前，从惰性气体管线(51)对助燃性气体管线(31)送入氮气，将助燃性气体管线(31)内置换为氮气。在对腔室(10)供给助燃性气体之前，从惰性气体管线(51)对可燃性气体管线(41)送入氮气，将可燃性气体管线(41)内置换为氮气。助燃性气体管线(31)及可燃性气体管线(41)设有共通的1根惰性气体管线(51)，因此能够减小气体供给相关要素的设置空间。
基本信息
专利标题 ：
热处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597142A
申请号 ：
CN202111368368.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
近藤泰章大森麻央
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陈甜甜
优先权 ：
CN202111368368.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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