一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线
授权
摘要

本实用新型公开了一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线,包括天线辐射结构、集成基片间隙波导结构,所述天线辐射结构、集成基片间隙波导结构从上到下依次排列重叠;集成基片间隙波导结构包括用于屏蔽电磁辐射能量的电磁带隙结构和用于向天线辐射结构传输能量的馈电结构。所述馈电结构包括第二介质板,第二介质板的上表面敷设有第一敷铜层,所述第一敷铜层中部刻蚀有缝隙;所述第二介质板的下表面设置有微带馈线。本实用新型的一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线具有低剖面,宽带宽,高增益、易加工等特点,能用作5G毫米波天线。

基本信息
专利标题 :
一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920845252.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-05
授权号 :
CN210926317U
授权日 :
2020-07-03
发明人 :
申东娅周养浩袁洪
申请人 :
云南大学
申请人地址 :
云南省昆明市五华区翠湖北路2号
代理机构 :
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 :
韩雪
优先权 :
CN201920845252.2
主分类号 :
H01Q1/38
IPC分类号 :
H01Q1/38  H01Q1/48  H01Q1/50  H01Q1/52  H01Q15/00  
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法律状态
2020-07-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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