一种不良地基处理结构

授权

摘要

本实用新型提供了一种不良地基处理结构，包括：加筋垫层(1)和地基加固体(2)；加筋垫层(1)包括上层砂石垫层(1.1.1)、加筋网(1.2)和下层砂石垫层(1.1.2)；加筋网(1.2)位于上层砂石垫层和下层砂石垫层之间；地基加固体(2)包括第一旋喷桩体(2.1)、第二旋喷桩体(2.2)和注浆增强体(2.3)；加筋垫层(1)水平布置，地基加固体(2)竖向布置；对于易产生较大不均匀沉降的不良地基，可针对不同地基情况选择不同的加固体组合，调节地基加固体的刚度；并在地基加固体顶部水平布置加筋垫层，对不良地基进行处理，以便进行建筑建筑物。本实用新型的有益效果是：降低了工程造价，缩短了工程工期，具有较高的性价比和适用性。

基本信息

专利标题：

一种不良地基处理结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920862792.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-10

授权号：

CN211200435U

授权日：

2020-08-07

发明人：

孙盼刘佑祥王泽希郭运刘海涛赵鹏飞龙晓东郑珠光蒋善超王发玲张亮陈凯程莹罗春雨吴彪张婵娟王晓毅

申请人：

中南勘察设计院集团有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市武昌区中南路18号

代理机构：

武汉知产时代知识产权代理有限公司

代理人：

龚春来

优先权：

CN201920862792.1

主分类号：

E02D27/12

IPC分类号：

E02D27/12 E02D5/34 E02D5/46