本实用新型提供了一种防止硅料挂边的石英坩埚，属于单晶硅生产设备技术领域。包括气泡复合外层及透明内层，所述透明内层具有硅液位线，所述透明内层位于所述硅液位线以上的部分涂覆有杂质层。所述杂质层由铝、钡、钛的化合物中的至少一种组成，且所述杂质层的涂覆浓度为10μg/cm²～500μg/cm²。高温下，所述杂质层引发石英由玻璃态转化成致密结晶态，能够有效地避免硅料与石英坩埚的上边沿粘连，延长坩埚的使用寿命，减少石英坩埚变形，稳定拉晶生产过程。所述防止硅料挂边的石英坩埚制备工艺简单，只需要在硅液位线以上的部位涂设所述杂质层，有效降低了生产成本。