基于DMOS管的电平转移电路及芯片
授权
摘要
本实用新型公开一种基于DMOS管的电平转移电路及芯片，包括电平输入电路和电平输出电路，电平输入电路包括电流镜反馈调节模块、电流镜结构和DMOS管对，电平输出电路包括旁路MOS管结构和相互耦合的正反馈结构MOS管对，电平输入电路通过DMOS管对的漏极直接耦接于电平输出电路内部的旁路MOS管结构的MOS管漏极，DMOS管对的源极耦接于电流镜结构内对应MOS管的漏极，电流镜反馈调节模块的电流输出端连接电流镜结构的输入端，电流镜反馈调节模块的反馈输入端连接电平输出电路内的旁路MOS管结构的MOS管漏极，旁路MOS管结构的源漏极连接正反馈结构MOS管对的源漏极，使得MOS管在不穿通的情况下实现电平快速转移。
基本信息
专利标题 ：
基于DMOS管的电平转移电路及芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920943385.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-21
授权号 ：
CN209823645U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
刘鑫
申请人 ：
珠海市一微半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-514
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920943385.3
主分类号 ：
H02M3/158
IPC分类号 ：
H02M3/158 H01L27/02
法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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