一种电可控的二维自旋电子器件阵列
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摘要
本实用新型公开一种电可控的二维自旋电子器件阵列，包括半导体基片、设置于基片下表面的光栅结构的背栅电极，层叠设置在基片上表面的介电层、过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构、设置于过渡金属硫化物二维材料上表面两侧的两列电极对、BN二维材料钝化层，所述两列电极对由置于过渡金属硫化物二维材料上表面两侧的若干对位置一一对应的电极对等间距排列构成；所述自旋电子器件阵列可通过施加背栅电压对过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构进行静电掺杂，由此调控异质结构的磁各向异性及费米能级附近电子态的自旋极化方向，从而在电极对之间电压的作用下产生极化方向独立可控的自旋电流。
基本信息
专利标题 ：
一种电可控的二维自旋电子器件阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920997049.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-28
授权号 ：
CN210866183U
授权日 ：
2020-06-26
发明人 ：
吴雅苹唐唯卿吴志明康俊勇
申请人 ：
厦门大学
申请人地址 ：
福建省厦门市思明南路422号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
张松亭
优先权 ：
CN201920997049.7
主分类号 ：
H01L29/66
IPC分类号 ：
H01L29/66
法律状态
2020-06-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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