一种具有升降功能的晶片加热装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种具有升降功能的晶片加热装置，其特征在于，包括：加热器，其被配置为晶片进行加热，其中在所述加热装置中设置有用于容纳升降销的缺口，其中在所述缺口中布置有第一封闭体和第二封闭体，所述第一和第二封闭体彼此间隔一定距离布置并且具有供升降销穿过的穿孔；升降销，其被配置为能够在加热器的缺口中移动，其中所述升降销具有第一密封部和第二密封部，所述第一密封部和第二密封部彼此间隔一定距离布置，并且分别从升降销伸出，使得第一密封部和第二密封部能够封闭升降销与第一封闭体和/或第二密封部之间的空隙。通过本实用新型，可以显著降低在升降销与加热装置之间侵入残余物的概率，由此减少设备的维护时间。
基本信息
专利标题 ：
一种具有升降功能的晶片加热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921013341.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-01
授权号 ：
CN211112210U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
张雷俞雷孟杰曾圣翔郭松辉林宗贤
申请人 ：
德淮半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 ：
上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李镝的
优先权 ：
CN201921013341.7
主分类号 ：
C23C16/46
IPC分类号 ：
C23C16/46 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/46
以加热基体的方法为特征的
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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